Металева мішеньОснови напилення
Ціль — це просто використання електронів або високоенергетичне лазерне бомбардування для напилення покриттів. Нарешті, поверхневі компоненти осідають на поверхні підкладки після розпилення у вигляді атомних груп або іонів, проходження процесу плівкоутворення та утворення тонкої плівки.
Покриття напиленням представлені в широкому діапазоні різновидів. Вони, як правило, являють собою покриття з випаровування. Швидкість напилення буде одним із ключових параметрів, що є різницею. Лазерне напилення покриття pld у напилюючому покритті є простим для збереження однорідності композиції, але однорідність товщини в атомному масштабі є відносно поганою (оскільки це імпульсне розпилення), а контроль зростання орієнтації кристала (зовнішнього краю) є відносно загальним.
Ступінь узгодження решітки між підкладкою та цільовим матеріалом, навколишнє середовище покриття (газова атмосфера низького тиску), температура підкладки, потужність лазера, частота імпульсів і час розпилення є важливими параметрами в PLD, як приклад. . Ідеальні параметри необхідні для різних підкладок і матеріалів для напилення. Вони різні, як показали досліди. Здатність обладнання для нанесення покриття точно регулювати температуру, забезпечувати хороший вакуум і підтримувати чистоту вакуумної камери є трьома ключовими факторами, які визначають його якість.
